你好!欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 技术中心 >> 电容电阻 >> 东芝采用第八代工艺打造高性能低导通电阻MOSFET

东芝采用第八代工艺打造高性能低导通电阻MOSFET

作者:admin 来源:不详 发布时间:2017-12-13  浏览:19

东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造,可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中,成为现有型号的换代产品。所有三款产品均有助于降低设备厚度和总体尺寸,并可提高效率。

应用

1. 锂离子电池保护电路

2. 手机电源管理开关


主要特点

1. 由于采用了最新的第八代工艺,因此产品的导通电阻比现有的东芝产品要低。

2. 采用了TSON Advance封装,可提供出色的散热性能。

3. 高抗雪崩性能。



编辑:admin  最后修改时间:2017-12-13

相关文章

    热销产品

      联系方式

      0755-82591179

      传真:0755-82591176

      邮箱:vicky@yingtexin.net

      地址:深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08

      Copyright © 2014-2023 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved.  粤ICP备14043402号-4