飞利浦称研制出业界新型高性能MEMS电容
该器件是一种精微可变电容，采用传统晶圆加工工艺即可被集成进硅IC内。飞利浦研究院声称，最大和最小电容比率高达17，Q因子高达500，因此事实上超越了迄今为止所报道的所有其它类型的器件。
这片MEMS在硅片上部的金属层的一块区域下，蚀刻出一条能够通过所加电压产生的静电吸引而上下移动的金属梁。在MEMS电容开关动作的情况下，它移动到与梁下面介电质层接触的位置。飞利浦用于制造附带高Q值电感和固定值MIM(金属-绝缘体-金属)电容的MEMS电容所采用的加工工艺名为PASSI。
PASSI/MEMS据称能减小手机功放及其天线之间阻抗匹配网络的尺寸，所需的PCB面积比当今的分立元件网络小一半。
为了节省功率而利用了动态匹配，以精确匹配所有RF功率级到天线的放大器。飞利浦研究院还采用了MEMS电容技术制造RF MEMS开关。该公司表示将用MEMS器件取代PIN二极管开关。
编辑：admin 最后修改时间：2017-12-13
